设备能力：
氮化硅、多晶硅和氧化硅
样品要求：
1 氮化硅工艺
可生长化学配比的氮化硅和低应力氮化硅。
图1. 样片和石英舟（氮化硅和多晶硅）
表一：化学配比的氮化硅，通常用于体硅腐蚀掩模
工艺温度
790°C
生长速率
40?/min
厚度
10nm-200nm
样片尺寸
4英寸，6英寸
折射率
1.99-2.0
应力
>1GPa
片内均匀性
±2%
±3%
片间均匀性
±4%
批次均匀性
每批
25片
50片
表二：低应力氮化硅，通常用于光学薄膜或振动薄膜
840°C
50?/min
10nm-1.2mm
2.15-2.3
<200MPa
10片
48片
2 多晶硅工艺
生长速率：75 ?/min，温度：605°C。
表三：低应力多晶硅，通常用于结构层
605°C
75?/min
100nm-2mm
4.3-4.4
<100MPa
表四：非晶硅，通常用于光学薄膜
3 TEOS二氧化硅工艺
图2. 样片和石英笼舟（氧化硅）
表五. TEOS SiO2，可用于牺牲层和光学膜
705°C
84?/min
案例：